哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量

题目当注入剂量增加到某个值时损伤量不再增加趋于饱和开始饱和的注入剂量称为请注意与下面集成电路制造工艺员题目有着相似或相关知识点, 降低靶的温度有利于非晶层的形成所以临界注入量随之; 下列哪些因素会影响临界注入量的大小。

哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量

学习时建议同时掌以下几题,下列几种氧化方法相比哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些。

当注入剂量增加到某个值时损伤量不再增加趋于饱和饱和正是对应连续的形成。

对于浓度覆盖很宽的杂质原子可以采用方法引入到硅片中。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。