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在实际工作中常常需要知道离子注入层内损伤量按的分布情况
来源: 集成电路制造工艺员
发布时间:2017-02-19
题目对于非晶靶离子注入的射程分布取决于请注意与下面集成电路制造工艺员题目有着相似或相关知识点, 就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面使其中离子注入层在极短的时间内达到高温消除损伤; 损伤的分布与注入离子在在靶内的的分布密切相关。
在实际工作中常常需要知道离子注入层内损伤量按的分布情况
学习时建议同时掌以下几题,早期研究离子注入技术是用来进行的。
离子注入装置的主要部件有分析器加速聚焦系统等。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子可以采用方法引入到硅片中。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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