直播课程
下列铸造多晶硅的制备方法中没有坩埚的消耗降低了成本同时又可减少杂质污染长度
来源: 材料物理性能
发布时间:2017-02-18
题目按制备时有无使用坩埚分为两类有坩埚分为无坩埚分为请注意与下面材料物理性能题目有着相似或相关知识点, 当晶体生长的较快内坩埚中杂质量变少晶体的电阻率.; 下列不属于非晶硅优点的是.。
下列铸造多晶硅的制备方法中没有坩埚的消耗降低了成本同时又可减少杂质污染长度
学习时建议同时掌以下几题,制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是.。
杂质在硅中的扩散方式有哪些。
如果半导体中存在多种杂质在通常情况下可以认为基本上属于杂质饱和电离范围其电阻率与杂质浓度的关系可近似。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
2024年材料物理性能
考试报名审核系统
立即获取审核结果
一级建造师考生必刷题库
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
相关阅读
相关答疑
相关课程
热门资讯