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在靶片前方设一抑制栅作用是将抑制回去从而保证测量的准确性
来源: 集成电路制造工艺员
发布时间:2017-02-19
题目多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对的高选择性超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能请注意与下面集成电路制造工艺员题目有着相似或相关知识点, 电气测量技术的应用所以能在现代各种测量技术中占有重要的地位是因为它具有很多优点主要有; 如果固体中的原子排列情况是紊乱的就称之为。
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学习时建议同时掌以下几题,ICT的作用是什么。
一般来说溅射镀膜的过程包括这几步。
离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成离子并通过一个引出系统形成离子束。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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