下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有

题目为了避免在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表请注意与下面集成电路制造工艺员题目有着相似或相关知识点, 铜与氯形成的化合物挥发能力不好因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行而必须施以; 在刻蚀过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气能够提高刻蚀的速率。

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有

学习时建议同时掌以下几题,在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的内加入适量的氢气能够降低刻蚀的速率。

离子源腔体中的气体放电形成而引出正离子的。

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。