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不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是
来源: 集成电路制造工艺员
发布时间:2017-02-19
题目由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的所以其就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿请注意与下面集成电路制造工艺员题目有着相似或相关知识点, 下列有关ARC工艺的说法正确的是; 铜与氯形成的化合物挥发能力不好因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行而必须施以。
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是
学习时建议同时掌以下几题,在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的内加入适量的氢气能够降低刻蚀的速率。
在生产过程中必须使用来完成浅沟槽隔离STI。
有机性气体大多产生在下列哪道工艺。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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