悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时采用快速区熔法的工艺时第一次区熔时第一区熔区停留挥发时间左右

题目正常凝固是最宽熔区的区域提纯在进行第一次熔化过后能不能进入第二次提纯这个阶段.请注意与下面材料物理性能题目有着相似或相关知识点, 简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼磷含量的原理.; 显影时正胶和负胶的哪个区发生溶解而哪个区则不会溶解。

悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时采用快速区熔法的工艺时第一次区熔时第一区熔区停留挥发时间左右

学习时建议同时掌以下几题,集电结耗尽区渡越时间。

气体直流辉光放电分为哪几个区其中辉光放电区包括哪几个区溅射区域选择在哪个区。

耗尽区。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。