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在三极管的输入特性曲线中锗管的死区电压约为左右
来源: 电子仪器仪表装配工考试
发布时间:2017-02-19
题目晶体二极管的特性可简单理解为正向导通反向截止的特性硅晶体三极管发射结的导通电压约为锗晶体三极管发射结请注意与下面电子仪器仪表装配工考试题目有着相似或相关知识点, 晶体二极管的伏安特性可简单理解为硅晶体三极管发射结的导通电压约为锗晶体三极管发射结的导通电压约为; 从三极管的特性曲线族上可以看到三极管有三种不同的工作状态。
在三极管的输入特性曲线中锗管的死区电压约为左右
学习时建议同时掌以下几题,在NPN三极管放大电路中如果集电极与基极短路则。
工作在放大区的一个三极管如果基极电流从10微安变化到22微安时集电极电流从1毫安变为2.1毫安则该三。
三极管的反向饱和电流受影响较大.是造成三极管不稳定的主要因素.越小越好。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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