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干法腐蚀清洁干净无脱胶现象图形精度和分辨率高
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目个投影曝光系统采用ArF光源数值孔径为0.6设k1=0.6n=0.5计算其理论分辨率和焦深请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 在光刻中能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗为什么; 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺。
干法腐蚀清洁干净无脱胶现象图形精度和分辨率高
学习时建议同时掌以下几题,金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜带胶蒸发或溅射所需的金属然后在去除光致抗蚀剂膜的同时。
在干法刻蚀的终点检测方法中光学放射频谱分析法最常见简述其工作原理和优缺点。
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液砷化镓片用系氢氧化氨系蚀腐蚀液。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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